第一章前言
1.1电子封装
1.1.1封装的概念
二十一世纪是信息技术和生物技术的时代，半导体技术是信息技术发展的主要推动力，其技术水平正在市场的驱动下逐步提高，是现今发展最迅速的工业之一，它产值巨大且增长潜力巨大，极大的改变了人们的工作和生活方式，极大地提高了人们的生活效率。半导体工业包括三部分:集成电路的设计、加工和封装测试。其中的封装是最后一道工序，封装对于集成电路的性能和可靠性有着极大的影响，封装工序的成本约为总成本的三分之一〔‘’。所谓封装，是指半导体集成电路芯片的外壳，可以密封、固定、安放、保护芯片并同时增强电热性能的，同时还是连接芯片内部和外部电路的通道，芯片上的焊点用导线连到封装外壳的引脚上，然后封装外壳上的引脚通过印制板上的导线和其他器件产生连接。电子封装工艺的要求是在尽量不影响电子芯片电性能的同时，对芯片和器件提供可靠的保护、冷却、供电，并提供与外部电路的电连接和机械支撑。封装包括以下几种:芯片级封装(或者零级封装)、器件级封装(或者一级封装)、板级封装(或者二级封装)、系统级封装(或者三级封装)等多个层面
1.1.2电子元器件封装技术的发展
1947年，美国电报电话公司(AT&T)发明了第一个晶体管，同时也开始了电子封装的历史。器件最早使用底座固定半导体芯片，用使用外接引线法将半导体和外部电路链接;为了把芯片和外部环境中的水蒸气等有害因素隔绝，使用了密封的外壳。1950年代，三根引线的TOP (Transistor Outlane Package, TOP)型封装外壳为主要的封装形式。随着电子系统的发展，大型化、高可靠、高速化的成为趋势(如电子计算机)，这对电子元器件的要求是向小型化和高密度发展。晶体管经过10年的发展后，1958年第一块集成电路(IC, Integrate Circuit)研制成功。集成多个晶体管的输入/输出(i/0)引出脚相应也相应增加，这驱使了多引线封装的发展。随着IC的的发展，芯片集成度迅速增高，1960中期，IC从集成100个以下的晶体管的小规模集成电路(Small Scaleintegration, SS I)迅速发展成为集成数百到上千个晶体管的中等规模iC(MediumScaleIntegration MSL)，相应的输入/输出也由数个增加到数十个，所以，三根引线TO型封装外壳己无法继续使用。1960年代，双列直插式封装(Double In-linePacksge, DIP)出现，可用于i/0数在4-64的器件。最初，DIP是采用陶瓷作为封装材料，其价格较高。随后，以塑料封装的DIP封装形式陆续出现，可使用于多种工/0数目，塑料材料降低了成本，且利于工业化生产。
1970年代，IC开始了高速发展阶段，出现了大规模的iC (Large Scaleintegration, LSI)，单个硅片上可集成数万到数十万个晶体管或者门电路。集成度迅速增加的同时，芯片尺寸也在不断扩大。1980年代，表面贴装技术开发成功(Surface Mount Technology, SMT), SMT是电子封装技术的一次巨大革命，极大的改进了封装的工艺，适用于SMT技术的各类表面贴装元件迅速发展，并在八十年代初形成产业标准，可以进行工业化生产。随着高性能环氧树脂的发展，较高的封装密度、较小的封装间距、较低的成本得以实现，塑封四边扁平引线封装(Plasis Quad Flat Package, PQFP)随之出现，此种封装形式适用于SMT技术，且可以进行大规模工业生产，该种封装形式的i/0数目可以高达240个。与此同时，小外形封装(Small Outline Package, SOP)技术出现，较小规模的IC，比如I/0数目较小的LSI芯片可使用此技术进行封装。该种封装的本质是一种DIP封装，是为了适用于SMT技术而进行的变形
20世纪80年代至90年代，IC尺寸变得更小而与此同时集成度持续提高，芯片尺寸也一直增大，超大规模集成电路(Very Large Scaleintegration,VLSI)出现，VLS工中芯片数量可高达数百万到数千万只芯片，其工//0数可达到数百个甚至1000个。由于具有很高的工/0数目，四边引出的FP及其他已有的封装形式，无法用于封装VLS工。由此，电子封装引线的形式从周边型转变成为面阵形，
第三章 环氧快速固化体系动力....... 28-44
3.1 环氧树脂对反应速度....... 28
3.2 固化剂对反应速度....... 28-31
3.3 固化促进剂对反应速度....... 31-33
3.4 反应动力学....... 33-43
3.4.1 聚硫醇/环氧树脂体系动力....... 34-41
3.4.2 间苯二甲胺/间苯二酚环氧树....... 41-43
3.5 小结....... 43-44
第四章 环氧快速固化体系的热、机械....... 44-52
4.1 环氧树脂体系固化后DSC....... 44-45
4.2 环氧树脂固化后的DMA....... 45-48
4.3 环氧树脂体系固化后热....... 48-50
4.4 固化后样品粘接性能....... 50
4.5 固化后样品电阻率....... 50-51
4.6 小结....... 51-52
第五章 总结....... 52-53
总结
本论文研究了多种环氧树脂一体系，发现了三种可以满足快速封装工艺要求的环氧体系，对满足所需反应速度的体系的固化后产物进行了表征，根据结果，得出以下结论:
(1)常用低温固化剂，如脂肪族胺类等由于其反应速度较慢，无法满足快速封装工艺对于树脂快速固化性能的需求，反应速度也较慢，无法满足快速封装工艺对于树脂快速固化性能的需求。
(2)聚硫醇类固化剂和环氧树脂在催化剂的作用下进行反应，具有较快的反应速度，可以满足快速封装工艺的反应速度需求。活性较高的间苯二甲胺和活性较高的间苯二酚环氧树脂配合使用，其反应速度也可以满足快速封装工艺的反应速度需求。
参考文献
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